Компания IBM и ее партнеры — Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, STMicroelectronics и Toshiba — объявили о крупном достижении в технологии производства полупроводниковых микросхем. Речь идет о применении в кремниевых транзисторах затворов из нового материала, имеющего высокую диэлектрическую постоянную, и металла (high-k/metal gate, HKMG). Члены альянса продемонстрировали успешное применение этой технологии на производстве IBM, работающем с 300-мм пластинами. В данный момент для выполнения первых заказов готов 32-нм техпроцесс.

Как известно, IBM, AMD, Sony и Toshiba представили HKMG-технологию еще в начале прошлого года.

Особенностью новых чипов является высокая производительность и эффективность. По оценкам участников проекта, применение HKMG в 32-нм техпроцессе позволило повысить производительность чипов на 35% по сравнению с 45-нм изделиями при том же самом напряжении питания. Что до энергопотребления, 32-нм чипы оказались эффективнее 45-нм на 30-50%, в зависимости от напряжения питания.

Участники альянса Common Platform, куда, помимо IBM, входят Chartered и Samsung, стали первыми производителями, применившими HKMG в 32-нм техпроцессе. В настоящее время они готовы предложить заказчикам 32-нм техпроцесс, оптимизированный по критерию энергопотребления, который может быть в перспективе распространен на нормы 28 нм. Более того, результаты исследований показывают, что с сохранением техпроцесса возможно освоение и норм 22 нм. Выпуск прототипов продукции по сторонним заказам с применением норм 32 нм начнется в третьем квартале.